机译:所有具有高沉积速率氮化硅(3 nm / s)的热线CVD TFT
Utrecht University. Faculty of Science, SID - Physics of Devices. P. O. Box 80000, 3508 TA Utrecht. The Netherlands;
thin film transistors; silicon nitride; high deposition rate; hot wire chemical vapor deposition;
机译:使用热线CVD沉积具有超高沉积速率(> 7 nm / s)的器件质量氮化硅
机译:使用热线化学气相沉积法以超高沉积速率(> 7 nm / s)沉积氮化硅作为介电介质
机译:热线化学气相沉积法在多晶硅太阳能电池上作为钝化和抗反射层的高沉积速率氮化硅
机译:用超高沉积速率通过热线CVD沉积氮化硅的反应机理(> 7 nm / s)
机译:光伏用硅和氮化硅的热线化学气相沉积:实验,模拟和应用。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:使用热线CVD以超高沉积速率(> 7nm / s)沉积器件质量的氮化硅