机译:具有虚拟源极/漏极(SD-VSD)的堆叠式纳米线设备,用于3D NAND闪存应用
Inter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering, Seoul National University, San 56-1, Sillim-dong, Cwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea;
rnInter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering, Seoul National University, San 56-1, Sillim-dong, Cwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea;
rnInter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering, Seoul National University, San 56-1, Sillim-dong, Cwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea;
Stacked-nanowires; Virtual source/drain; 3D NAND flash memory;
机译:虚拟源极/漏极NAND闪存中单元栅极长度波动引起的阈值电压和开启单元电流的变化
机译:虚拟源/漏NAND闪存中编程的相邻单元引起的阈值电压干扰的研究
机译:具有改进的虚拟源/漏性能的Arch NAND闪存阵列
机译:N2退火对NAND闪存的P +源极/漏极离子注入的电学特性的改善
机译:热裂解器增强气源分子束外延合成石墨烯及其在闪存中的应用。
机译:铁电栅极场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNAND闪存中的应用
机译:NAND闪存的可靠性:平面单元和3D设备中出现的问题
机译:在以下问题中:某些探针卡组件,其组件以及某些经过测试的DRam和NaND闪存设备以及包含它们的产品。第337-Ta-621号调查