机译:肖特基势垒双栅极MOSFET的解析紧凑模型
Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, Avda. Fuente Nueva S/N, 18071 Granada, Spain;
rnDepartament d'Enginyeria Electrdnica, Electrica y Automatica, Universitat Rovira i Virgili, 43007 Tarragona, Spain;
rnDepartamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, Avda. Fuente Nueva S/N, 18071 Granada, Spain;
Double-gate MOSFETs; Schottky-barrier SOI MOSFETs; Compact modeling; Semiconductor device MOSFETs; SOI MOSFETs;
机译:使用紧凑型分析模型在纳米级双栅极MOSFET中进行栅极泄漏电流分配
机译:轻掺杂双栅极MOSFET中2D静电的分析紧凑建模框架
机译:双栅极肖特基势垒源极/漏极MOSFET的电势和阈值电压模型
机译:肖特基势垒源极/漏极双栅全环绕(DGAA)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:双栅MOSFET量子效应的紧凑模型。
机译:用于高速开关应用的三层石墨烯纳米带肖特基势垒FET的分析模型
机译:具有肖特基势垒源极/漏极的未掺杂硅纳米线MOSFET的紧凑模型
机译:mOsFETs动态特性的紧凑建模