机译:固相结晶制备的多晶硅薄膜晶体管全带隙中陷阱密度的提取及其后退火工艺条件的影响
Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University. Otsu 520-2194, Japan Joint Research Center for Science and Technology, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan Innovative Materials and Processing Research Center, High-Tech Research Center, Seta, Otsu 520-2194, Japan;
Trap density; Poly-Si; Thin-film transistor (TFT); Solid-phase crystallization (SPC);
机译:固相结晶制造的多晶硅薄膜晶体管中陷阱密度的提取及其与后退火温度和时间的关系
机译:由多晶硅膜制成的薄膜晶体管通过微波退火在低温下结晶
机译:准分子激光和固相结晶多晶硅薄膜晶体管的晶体管特性比较
机译:SPC多晶硅TFT的陷阱密度对后退火温度和时间的依赖性
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:错误的:通过镍硅化镍种子诱导的横向结晶进展P沟道底栅聚-SI薄膜晶体管