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机译:Pt / ti / al_2O_3 / al隧道结具有无电铸双极电阻切换行为
Electronic Materials Center, Korea Institute of Science and Technology, 39-1 Hawotgok-dong, Seongbuk-ku, Seoul 136-791, Republic of Korea;
Electronic Materials Center, Korea Institute of Science and Technology, 39-1 Hawotgok-dong, Seongbuk-ku, Seoul 136-791, Republic of Korea;
Memory device; Resistive switching; RRAM;
机译:氮化钽作为有源上电极在基于氧化铈的存储单元的无电铸双极性电阻切换行为中的作用
机译:无成形双极和单极电阻切换行为,ag / ti / ceo中的低工作电压
机译:具有3×3交叉阵列结构的Au / Pt-Fe_2O_3核壳纳米粒子组件/ Ti中的双极电阻切换行为
机译:Al / Ti / ZrO_2:Al_2O_3 / TIN / Si / Si / Si / Si / Si / Al结构对存储器应用的电阻切换行为的影响研究
机译:金属电极镨钙锰三氧化钙界面双极场诱导电阻切换的载体跳跃机制
机译:基于SiN的电阻切换存储器中的自相容双极电阻切换
机译:pt / Ti / al2O3 / al隧道结显示无电成型双极 电阻切换行为