机译:SiGe:C HBT的掺Ge单发射极中的重组
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
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sige:c hbts; ge-spiked monoemitter; recombination; breakdown voltage;
机译:低温三硅烷化学气相沉积法掺杂砷的Ge掺单极SiGe:C异质结双极晶体管
机译:SiGe HBT的中性碱基重组的表征
机译:SOI上SiGe HBT中的1 / f噪声和生成/复合噪声
机译:碳对高速SiGeC HBT中中性碱重组的影响
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:用于高性能siGe HBT的材料科学:固相外延和III-V / siGe混合方法