机译:无电容器的A-RAM SOI存储器:原理,扩展和预期性能
Dept. Electronics, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada. 18071 Granada, Spain;
IMEP-MlNATEC, BP257F38016 Grenoble Cedex 1, France;
Dept. Electronics, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada. 18071 Granada, Spain;
Capacitorless; Floating-body; SOI; IT-DRAM; A-RAM; Simulation; MOSFET;
机译:具有改进性能的1T大容量无电容器DRAM单元的建模:扩展方法
机译:优异的可扩展性,包括垂直沟道场效应二极管型无电容器一晶体管动态随机存取存储单元的自热现象
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机译:A-RAM:新型电容器较少的DRAM内存
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