机译:轻掺杂短沟道三栅MOSFET的分析阈值电压模型
Department of Physics, Aristotle University ofThessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
Department of Physics, Aristotle University ofThessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
Department of Physics, Aristotle University ofThessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
IMEP, M1NATEC, Parvis Louis Niel 3, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium;
IMEP, M1NATEC, Parvis Louis Niel 3, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
analytical threshold voltage model; lightly doped; tri-gate mosfets; dibl;
机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:具有高斯掺杂沟道的短沟道MOSFET阈值电压的二维分析模型
机译:具有完全重叠的轻掺杂漏极结构的高k栅极介电MOSFET的阈值电压分析模型
机译:具有局部俘获电荷的三栅极(TG)MOSFET阈值电压的二维短通道模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型