机译:〜(72)Ge /〜(74)Ge预非晶化与亚keV硼注入相结合对pMOSFET的影响
Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University. 101 Kuang-Fu Rd. Sec. 2, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University. 101 Kuang-Fu Rd. Sec. 2, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University. 101 Kuang-Fu Rd. Sec. 2, Hsinchu 300, Taiwan;
ge preamorphization implantationge amorphous thickness; ~(72)ge/~(74)ge ratios;
机译:锗预非晶化厚度与亚keV硼注入相结合的抑制能力,以改善驱动电流
机译:锗预非晶化厚度与亚keV硼注入相结合的抑制能力,以改善驱动电流
机译:低能量Ge预非晶化注入的射程结束对浅硼型材热稳定性的影响
机译:锗预非晶化和亚keV硼注入的组合用于pMOSFET的源极/漏极扩展
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:在剪接体组装的早期阶段异质核核糖核蛋白M组成员72 / 74-kDa蛋白与pre-mRNA的关联。
机译:超低能硼注入物在预非晶硅和绝缘体上硅中的向上扩散
机译:氮注入对硼和211氮化硼涂层的化学键和硬度的影响