机译:陷阱集中于随机电报信号和低频噪声对硅纳米晶体存储器的影响
Institut des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270), institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Bât. Blaise Pascal,7 Avenue Jean Capelle, 69 621 Villeurbanne Cedex, France,Institut Préparatoire aux Etudes d'lngénieurs de Nabeul (IPEIN), 8000 Merazka, Nabeul, Tunisia;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270), institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Bât. Blaise Pascal,7 Avenue Jean Capelle, 69 621 Villeurbanne Cedex, France;
Institut Préparatoire aux Etudes d'lngénieurs de Nabeul (IPEIN), 8000 Merazka, Nabeul, Tunisia;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270), institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Bât. Blaise Pascal,7 Avenue Jean Capelle, 69 621 Villeurbanne Cedex, France;
Institut Préparatoire aux Etudes d'lngénieurs de Nabeul (IPEIN), 8000 Merazka, Nabeul, Tunisia;
non-volatile memories; traps; rts noise; low frequency noise;
机译:利用随机电报信号和低频噪声研究纳米像素中的光生陷阱
机译:通过低频(1 / f)噪声和随机电报噪声分析研究Hf_(0.83)Zr_(0.17)O_2高k栅堆叠p型MOSFET的陷阱性质
机译:低频噪声和随机电报噪声表征对退火工艺对高k /金属栅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管陷阱性质的影响
机译:SiGe:C异质结双极晶体管中的低频噪声和随机电报信号噪声-碳浓度的影响
机译:MOS晶体管中随机电报信号和逆频率噪声
机译:高度稳定的铝蒸发固溶处理的ZnO薄膜晶体管的起源:低频和随机电报信号噪声的见解
机译:mOsFET低频的新颖精确时域描述 由随机电报信号引起的噪声