机译:迁移率下降和晶体管不对称性对场效应晶体管访问电阻提取的影响
Departamento de Ingenieria en Telecomunicaciones, División de lngeniería Electrica, Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional Autónoma de México, Cd. Universitaria, Coyoacán, C.P. 04510, Mexico, D.F Mexico;
Centra de Investigacidn en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Calzada Adolfo Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94292, Boca del Rio, Veracruz, Mexico;
Information and Communication Technologies, Electronics and Applied Mathematics, Universite catholique de Louvain, Place du Levant, 3, Maxwell Building, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium;
broad-band parameter-extraction method; rf characterization; small-signal equivalent circuit; extrinsic series resistances; mosfet; soi technology; finfet;
机译:并五苯场效应晶体管中低场迁移率和访问电阻的直接评估
机译:通道访问电阻对钝化聚甲基丙烯酸甲酯的SnO
机译:通道访问电阻对钝化聚甲基丙烯酸甲酯的SnO_2纳米线场效应晶体管中载流子迁移率和低频噪声的影响
机译:有机薄膜晶体管的分析建模与参数提取:接触电阻,掺杂浓度和场依赖性的影响
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译::氢掺杂氧化物晶体管:氧化物场效应晶体管的超高表观迁移率分析(Adv。Sci。7/2019)
机译:高性能中的迁移率提取和量子电容影响 石墨烯场效应晶体管器件