机译:高度紧凑的包装设计,可改善多指InGaP / GaAs集热HBT的热性能
Nanotechnology R&D Center and Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan 71003, Taiwan, ROC;
Nanotechnology R&D Center and Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan 71003, Taiwan, ROC;
heterojunction bipolar transistor (hbt); packaging design; thermal performance;
机译:n-p-n和p-n-p GaAs / InGaAs / InGaP集电极上HBT的改善的热性能
机译:用于多指InGaP / GaAs集电极HBT的热管理的有效器件设计
机译:具有微型背面散热结构的InGaP / GaAs集电极HBT的增强的热性能
机译:分析和优化封装结构以最大化多指GaInP / GaAs集热HBT的热性能
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:水热沉积ZnO纳米管结构提高InGaP / GaAs / Ge太阳能电池的效率
机译:InP / InGaAs HBT光电晶体管的性能增强,具有改进的基极接触设计