机译:圆柱形环绕栅MOSFET的统一短通道紧凑模型
CEA, LEV, MINATEC, F38054 Grenoble, France,lMEP-LAHC, MINATEC, INK, 3 Parvis Louis Nee/, BP257, 38016 Grenoble, France;
lMEP-LAHC, MINATEC, INK, 3 Parvis Louis Nee/, BP257, 38016 Grenoble, France;
CEA, LEV, MINATEC, F38054 Grenoble, France;
CEA, LEV, MINATEC, F38054 Grenoble, France;
CEA, LEV, MINATEC, F38054 Grenoble, France;
lMEP-LAHC, MINATEC, INK, 3 Parvis Louis Nee/, BP257, 38016 Grenoble, France;
device modeling; gate-all-around mosfet; short-channel effects; surface potential model;
机译:具有源极/漏极耗尽效应的短沟道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值电流的紧凑模型
机译:纳米级短通道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:短通道无结三材料圆柱形环绕栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:无结圆柱型环绕栅极MOSFET的分析性短通道行为模型
机译:用于电路仿真的统一MOS器件模型(非矩形电容,模型连续性,短通道,强反演)
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:对称双栅MOSFET的紧凑模型,包括载流子限制和短沟道效应