机译:适用于低掺杂浓度到高掺杂浓度的长通道圆柱形环绕栅MOSFET的紧凑模型
DEEEA, Universitat Rovira i Virgili (URV), Tarragona 43007, Spain;
rnSEES,CINVESTAV-IPN. Mexico DF. Mexico;
rnDEEEA, Universitat Rovira I Virgili (URV), Tarragona 43007, Spain;
surrounding-gate (SRG) MOSFET; compact modeling;
机译:从本征通道到重掺杂体的长通道圆柱形环绕栅极MOSFET的基于电荷的模型
机译:通过高k栅堆叠的长沟道圆柱形环绕栅MOSFET的直接隧穿电流的分析模型
机译:一种基于电荷的紧凑模型,用于预测重掺杂圆柱形环绕栅MOSFET的电流-电压和电容-电压特性
机译:用于长通道掺杂周围栅极MOSFET的连续分析电流 - 电压(I-V)模型(SGMOSFET)
机译:用于低压低功率应用的非均匀掺杂深亚微米口袋MOSFET的设计和建模
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:基于表面电位的圆柱形围栅mOsFET模型