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机译:纳米CMOS技术中具有嵌入式SCR结构作为电源轨ESD钳位设备的I / O单元的ESD保护设计
Electrostatic Discharge (ESD); Input/Output (I/O) Cell; Silicon Controlled Rectifier (SCR); Power-Rail ESD Clamp Device;
机译:低压薄氧化物CMOS技术中带有耐压电源轨ESD钳位电路的混合电压I / O接口的ESD保护设计概述
机译:纳米CMOS技术中考虑栅极泄漏的电源轨ESD钳位电路设计
机译:纳米CMOS技术的无轨ESD钳位电路的无电阻设计
机译:面积效率高的电源轨ESD钳位电路,在65nm CMOS工艺中将SCR器件嵌入ESD瞬态检测电路
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:采用130-nm CmOs工艺中的1 V / 2.5 V低压器件设计3.3 V I / O接口的电源轨EsD钳位电路