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机译:采用32 nm高k +金属门CMOS技术的4.0 GHz 291 Mb可扩展电压的SRAM设计,具有集成的电源管理
Intel Corp., Hillsboro, OR, USA;
CMOS digital integrated circuits; SRAM chips; logic design; close-loop memory array leakage control; floating bitline; frequency 2 GHz; frequency 4 GHz; high-k + metal-gate logic CMOS technology; high-performance voltage-scalable SRAM design; integrated power management; size 32 nm; storage capacity 128 Kbit; storage capacity 291 Mbit; voltage 0.8 V; voltage 1 V; wordline driver sleep transistor; 32 nm; CMOS memory integrated circuits; high-k + metal-gate; sleep transistor; static random-access memory (SRAM); variations;
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12μA/ Mb泄漏SRAM设计,并具有针对移动应用的集成式减少泄漏功能
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12 $ mu $ A / Mb泄漏SRAM设计,具有针对移动应用的集成式泄漏减少功能
机译:3.8 GHz 153 Mb SRAM设计具有动态稳定性增强和减少泄漏的45 nm High-k Metal Gate CMOS技术
机译:32nm高k金属门CMOS中的4.0GHz 291MB电压可扩展SRAM设计,集成电源管理
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