机译:在块状n型6H-SiC上进行电子束金属沉积时的缺陷引入
Department of Physics, University of Port Elizabeth, PO Box 1600, Port Elizabeth 6000, South Africa;
机译:在n型6H-SiC上通过金属有机化学气相沉积法生长的Si掺杂AlN薄膜的正电子和小电子亲和力的观察
机译:卤化物化学气相沉积法生长的6H-SiC块状晶体中的残留杂质和天然缺陷
机译:各种金属触点的低温温度沉积对块状单晶n型ZnO的影响
机译:在块状离轴n型6H-SiC上制造的肖特基势垒二极管的生长缺陷和与工艺有关的缺陷
机译:通过蓝宝石上的金属有机气相沉积(MOCVD)生长的N型氮化镓的电学表征。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:高温电子束沉积乙烯对苯二甲酸乙二醇酯缺陷特征
机译:退火处理对散装n型Gaas缺陷结构和扩散长度的影响。