首页> 外文期刊>Semiconductor science and technology >Comment on ' Giant suppression of shot noise in double barrier resonant diode: a signature of coherent transport
【24h】

Comment on ' Giant suppression of shot noise in double barrier resonant diode: a signature of coherent transport

机译:评论:“双势垒谐振二极管中散粒噪声的巨大抑制:相干传输的标志”

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

In this comment we refute recent claims (Aleshkin et al 2003 Semicond. Sci. Technol. 18 L35) that experimental observations of the shot noise with Fano factors below 1/2 in resonant double barriers are a signature of coherent versus sequential tunneling. We point to the principal theoretical flaw in the analysis of this work and to the contradiction of this claim with our own earlier work and that of the wider literature on shot noise in small electrical conductors.
机译:在这篇评论中,我们驳斥了最近的说法(Aleshkin等人,2003 Semicond。Sci。Technol。18 L35),即共振双势垒中Fano因子低于1/2的散粒噪声的实验观察是相干隧穿与顺序隧穿的标志。我们指出了这项工作分析中的主要理论缺陷,并指出了这种主张与我们自己的早期工作之间的矛盾,以及有关小型导体中散粒噪声的更广泛文献的矛盾。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号