机译:在掺有V型受体的外延HgCdTe中通过离子铣削形成的n型层的电性能弛豫
Kremenchuk State Polytechnical University, 20 Pershotravneva Str., Kremenchuk 39614, Ukraine;
机译:低能离子束研磨或阳极氧化形成HgCdTe地下层的电性能比较
机译:氢化对CdZnTe衬底和HgCdTe外延层电学和光学性质的影响
机译:锗掺杂对化学气相沉积n型4H-SiC同质外延层电性能的影响
机译:外延CD_XHG_(1-x)TE的电气性能放松:AS(SB)通过离子铣削转换成N型的层
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:勘误到:在蓝宝石上生长的外延n型掺杂GaN层的红外反射分析
机译:通过霍尔效应,PL测量和光热偏转光谱研究掺Si的GaSb外延层的电和光热性质