机译:通过AFM导电探针研究的覆盖有薄InP层的InAs / InP(001)量子点的局部电子传输
Laboratoire de Microscopies et d'Etude de Nanostructures, EA 3799, Universite de Reims, 21 rue Clement Ader, 51685 Reims Cedex 2, France;
机译:通过导电原子力显微镜对覆盖有薄InP层的InAs / InP(001)量子点的电学性质进行成像:记忆效应的证据
机译:InP薄盖层和阴离子交换反应对InP(001)上InAs量子点的结构和光学性质的作用
机译:GaAs薄层覆盖的InAs / GaAs量子点在导电AFM成像过程中电子辐照对电子传输机制的影响
机译:001 InP衬底上InAs量对薄GaAs拉伸应变层上InAs量子点的影响
机译:基于INP的核心/壳量子点的合成,稳定性和动态表面化学
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:截面扫描隧道显微镜研究超薄砷化镓中间层对InAs / InGaAsP / InP(001)量子点结构性能的影响