机译:溅射SiN_x钝化的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China;
机译:掺Fe或无意掺杂GaN缓冲层的MOCVD在SiC上生长的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能的比较
机译:直流功耗小的AlGaN-GaN HEMT的微波噪声性能
机译:具有部分凹入式SiN_x MIS结构的高性能常态AlGaN / GaN-on-Si HEMT
机译:低压 - 化学 - 蒸汽沉积SIN_X钝化ALGAN / GAN HEMTS用于功率放大器应用
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:使用新的生长技术在硅上生长的AlGaN / GaN HEMT的微波和直流性能