机译:通过干法刻蚀形成的具有倾斜小平面的40 Gbps电吸收调制DFB激光器
Electronics and Telecommunications Research Institute, 161 Gajeong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-700, Korea;
机译:倒装芯片兼容的电吸收调制器,速率高达40 Gb / s,并集成了1.55 DFB激光器
机译:使用选择性区域生长制造的40 Gb / s行波电吸收调制器集成DFB激光器
机译:使用选择性区域生长制造的40 Gb / s行波电吸收调制器集成DFB激光器
机译:干刻蚀形成的具有倾斜小平面的40 Gbps电吸收调制DFB激光器
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:2 x 56 Gbps电吸收调制III-V-on-silicon DFB激光器