机译:长时间热退火后准确模拟平均锗中磷的扩散率:植入物损伤提高扩散率的证据
Microelectronics Development Lab, Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA;
机译:碳共注入先进快速热退火后原位掺杂硼的Si_(0.75)Ge_(0.25)外延膜的硼向外扩散的局部密度扩散模型(LDD-)
机译:磷注入对锗的掺杂:通过模拟预测扩散轮廓
机译:锗-锡$ hbox {n} ^ {+} hbox {/ p} $使用磷离子注入和400 $ ^ {circ} hbox {C} $快速热退火形成的结
机译:长时间热退火后锗中平均磷扩散率的精确模型
机译:离子注入硅的热退火过程中的磷缺陷相互作用。
机译:DIPG-12。弥散性内源性胶体神经胶质瘤临床模型中对流增强输送对渗透压输送的渗透泵优化
机译:基于等温条件下获得的气流数据的空气扩散器模型的非等温模拟:在CFD模拟CEILLING时安装的空气漫射建模(第4部分)
机译:锗和锗硅合金离子注入和扩散光电探测器的特性