机译:应变硅/应变硅锗外延异质结构中的相互扩散
Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 60 Vassar Street, Rm. 39-661, Cambridge, MA 02139, USA;
机译:应变硅/应变硅锗外延异质结构中的互扩散
机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:应变Si / Sige异质结构中应变硅层厚度对位错分布和松弛的影响
机译:单晶弹性松弛SiGe纳米膜:外延生长无缺陷应变Si / SiGe异质结构的基底。
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:提取大的价带能量偏移并与弛豫siGe衬底上的应变si /应变Ge-II异质结构的理论值比较