机译:500℃下Si(1 0 0)外延生长Si_(1-x-y)Ge_xC_y时碳掺杂对应变弛豫的影响
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
机译:钨与杂质(P和B)掺杂的Si_(1-x-y)Ge_xC_y外延层之间的接触电阻率
机译:Si_(1-y)C_y和Si_(1-x-y)Ge_xC_y的GSMBE过程中碳掺入的影响:生长动力学和偏析
机译:间隙C的掺入对Si_(1-x-y)Ge_xC_y外延层拉曼散射的影响
机译:碳掺杂对Si / sub 1-x-y / Ge / sub x / C / sub y /外延生长Si(100)在500 / spl deg / C时的应变松弛的影响
机译:自旋电子学应用中钴掺杂的氧化锌和钴掺杂的二氧化钛的外延生长和表征。
机译:SiC化学气相沉积生长外延石墨烯晶界应变松弛的拉曼研究
机译:中国应变松弛机制与局部结构变化 si_ {1-x} $ Ge_ {x}合金