机译:具有绝缘介电氧化物的掺杂剂隔离的肖特基势垒MOSFET
Department of Electronics Engineering, National United University, Miaoli 36003, Taiwan, Republic of China;
rnInstitute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, Republic of China;
机译:适用于模拟/ RF应用的新型δ掺杂,部分绝缘的掺杂剂隔离的肖特基势垒SOI MOSFET
机译:用于纳米级CMOS电路的掺杂剂隔离肖特基势垒SOI MOSFET中的工程掩埋氧化物
机译:掺杂剂隔离的肖特基势垒SoI MOSFET的蒙特卡洛研究:增强RF性能
机译:用于低变异性纳米级CMOS电路的掺杂剂隔离的肖特基势垒SOI MOSFET中的工程掩埋氧化物
机译:肖特基势垒MOSFET中的电传输。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET