机译:用于低功率混合信号电路的非对称漏极下陷掺杂物隔离的肖特基势垒超薄体SOI MOSFET
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India;
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India;
机译:叠底沟道金属源极/漏极SOI MOSFET,用于热效率低的混合信号电路
机译:用于纳米级CMOS电路的掺杂剂隔离肖特基势垒SOI MOSFET中的工程掩埋氧化物
机译:掺杂剂隔离的肖特基势垒SOI MOSFET中的工程隔离物,用于纳米级CMOS逻辑电路
机译:用于低功率高性能纳米级CMOS电路的非对称漏极下重叠肖特基势垒SOI MOSFET
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:超薄体SOI肖特基势垒MOSFET中改进的载流子注入