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机译:通过位移电流测量对具有前景的半导体和不同接触金属的有机场效应器件中的电荷陷阱进行全面研究
Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Jodhpur 342011, Rajasthan, India|Max Planck Inst Solid State Res, Heisenbergstr 1, D-70569 Stuttgart, Germany;
Max Planck Inst Solid State Res, Heisenbergstr 1, D-70569 Stuttgart, Germany;
Max Planck Inst Solid State Res, Heisenbergstr 1, D-70569 Stuttgart, Germany;
Hiroshima Univ, Dept Appl Chem, Higashihiroshima 7398527, Japan;
RIKEN, CEMS, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 3510198, Japan;
Max Planck Inst Solid State Res, Heisenbergstr 1, D-70569 Stuttgart, Germany;
Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Jodhpur 342011, Rajasthan, India;
thin-film transistors; charge trapping; organic semiconductors; displacement current measurements;
机译:通过位移电流测量检查有机场效应晶体管中的Au,Cu和Al触点
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯的有机半导体异质结构作为电荷传输层和陷阱层的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:通过位移电流测量评估基于不同有机半导体的有机薄膜晶体管中的电荷载流子注入,提取和俘获动力学
机译:微观研究有机半导体中电荷的命运:扫描开尔文探针测量p型和n型器件中的电荷俘获,传输和电场
机译:扩散对有机半导体中空间电荷限制电流测量的影响
机译:用于背面氩轰击的氮化n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的界面和电荷俘获特性研究
机译:mOs(金属氧化物半导体)器件中陷阱电荷积累的应用场和总剂量依赖性