机译:顶栅电介质的沉积和退火在基于IGZO TFT的双栅离子敏感场效应晶体管中的作用
Indian Inst Technol Kanpur, Mat Sci Programme, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India|Indian Inst Technol Kanpur, Samtel Ctr Display Technol, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
Indian Inst Technol Kanpur, Mat Sci Programme, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
Indian Inst Technol Kanpur, Mat Sci Programme, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
Indian Inst Technol Kanpur, Mat Sci Programme, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India|Indian Inst Technol Kanpur, Samtel Ctr Display Technol, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India|Indian Inst Technol Kanpur, Dept Chem Engn, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
dual-gate ISFETs; a-IGZO TFT; pH sensor; top gate dielectric; deposition and anneal;
机译:高度可靠的生物传感器的微波退火效应:使用非晶InGaZnO薄膜晶体管的双门离子敏感场效应晶体管
机译:具有顶门偏移结构的高速双门基于a-IGZO TFT的电路
机译:基于双门纳米带离子敏感场效应晶体管生物传感器的冬虫夏草无标记检测
机译:双门基于纳米带的离子敏感场效应晶体管生物传感器对冬虫夏草的无标记检测
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:超薄体中电容耦合双栅离子敏感场效应晶体管的性能增强
机译:双栅极ZnO离子敏感场效应晶体管超越Nernst极限