机译:金属 - 有机气相外延生长的简单NP-N隧道结的限制
Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil IMaSS Nagoya Aichi Japan;
Univ Clermont Auvergne Polytech Clermont Ferrand Clermont Ferrand France;
Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil IMaSS Nagoya Aichi Japan;
Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil IMaSS Nagoya Aichi Japan;
Univ Clermont Auvergne Inst Pascal CNRS SIGMA Clermont F-63000 Clermont Ferrand France;
Univ Clermont Auvergne Inst Pascal CNRS SIGMA Clermont F-63000 Clermont Ferrand France;
Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil IMaSS Nagoya Aichi Japan;
机译:由金属 - 有机气相外延生长的GaN的隧道连接和光电器件
机译:金属有机气相外延生长碳作为p型掺杂剂的GaAs隧道结的热稳定性
机译:通过金属有机气相外延生长的峰值电流密度超过6 x 105 A / cm2的高均匀度InP基谐振隧穿二极管晶片
机译:基于INP的应变在{sub} 0.8ga} 0.2as / alas共振INP的{sub} 0.8ga {sub} 0.2as / alas谐振隧道二极管中具有高峰电流密度和大峰 - 由金属 - 有机气相外延生长的谷电流比
机译:纳米图案化硅上金属有机气相外延生长的(211)B碲化镉缓冲层的生长和表征,用于基于碲化汞的红外探测器。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:金属 - 有机气相外延生长的简单NP-N隧道结的限制