机译:一种新颖的AIGaN / GaN肖特基势垒二极管,具有部分p-AIGaN覆盖层和凹陷的双金属阳极,可实现高击穿和低导通电压
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Wide Bandgap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Shaanxi Peoples R China;
Xidian Univ Sch Adv Mat & Nanotechnol Xian 710071 Shaanxi Peoples R China;
Xidian Univ Sch Mechanoelect Engn Xian 710071 Shaanxi Peoples R China;
AlGaN; GaN Schottky barrier diode; partial p-type cap layer; recessed dual-metal anode; high breakdown voltage; low turn-on voltage;
机译:具有部分P-AlGaN帽层的新型AlGaN / GaN肖特基势垒二极管和用于高击穿和低开启电压的凹陷双金属阳极
机译:AlGaN / GaN肖特基势垒二极管与双阳极金属和P-GaN层相结合的效果在反向击穿和开启电压下
机译:硅衬底上的高性能横向GaN肖特基势垒二极管,具有0.31 V的低启动电压,2.65 kV的高击穿电压和2.65 GW cm〜(-2)的高功率因数
机译:高压AlGaN / GaN肖特基屏障二极管在Si衬底上具有低温GaN帽的边缘终端
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:GaN-on-GaN肖特基二极管的低压高能量α粒子探测器具有创纪录的高电荷收集效率
机译:一个击穿增强的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管,其中T阳极位置深入底部缓冲层
机译:半导体测量技术:用于测量硅中注入深度分布的肖特基势垒二极管的差分电容 - 电压分布