机译:基于MoS_2-GO电阻层的ReRAM的低压和受控开关,用于非易失性存储器应用
Indian Inst Technol IIT Mandi SCEE Mandi 175005 Himachal Prades India;
resistive random-access memory; MoS2-GO; conduction mechanism; emerging nonvolatile memory;
机译:湿法沉积Ag2Se / GeSe双层中的非易失性开关特性,用于电阻式随机存取存储器
机译:湿法沉积Ag_2Se / GeSe双层中的非易失性开关特性,用于电阻式随机存取存储器
机译:用于非易失性存储器应用的磁场控制混合半导体和电阻式开关装置
机译:ALN层对非易失性存储器应用锡薄膜型号型号的双极电阻切换行为的影响
机译:基于开关过程的建模控制非易失性铪 - 氧化物电阻开关存储器的变异性
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:原子层沉积的AlO / HfO / AlO三层结构具有出色的电阻切换特性,适用于非易失性存储应用