机译:非平衡磁控溅射法在有机玻璃薄膜晶体管上制备的铝掺杂ZnO薄膜的特性
Sungkyunkwan Univ, Sch Informat & Commun Engn, Suwon 440746, South Korea;
Chosun Coll Sci & Technol, Dept Photoelect, Kwangju 501744, South Korea;
Aluminum-Doped ZnO; Pulse DC Unbalanced Magnetron Sputtering; Organic Thin Film Transistor; Electrodes; Crystallinity; Resistivity;
机译:钌的添加对聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上射频磁控溅射制备掺铝ZnO薄膜性能的影响
机译:射频磁控溅射沉积在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上的Al-Ga共掺杂ZnO半导体薄膜的性能
机译:膜厚对射频磁控溅射法在玻璃和Al_2o_3(0001)衬底上制备的Ga掺杂Zno薄膜的结构和电性能的影响
机译:磁控管不平衡的HIPIMS(高功率脉冲磁控溅射)掺杂A:ZnO薄膜的特性
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的镓掺杂ZnO薄膜