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三菱電機SiC-MOFET6種低電力損失と高い誤動作耐量

机译:三菱电动SiC-MOFET 6低功耗和高放大倍率制造

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摘要

三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET1200V-Nシリーズ」6品種のサンプル提供を、7月から開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立し、高電圧での電力変換を要する車載充電器や太陽光発電などの様々な電源システムの低消費電力化・小型化に貢献する。
机译:三菱电气从7月开始启动6种权力半导体新产品“SIC-MOSFET 1200 V-N系列”的样品。实现了低功耗和高故障滞留阻力,有助于低功耗和各种电源系统的小型化,例如汽车充电器和需要在高电压下电力转换的太阳能电源。

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    《电波新闻》 |2020年第17931期|4-4|共1页
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