STマイクロスマート•シャットダウン回路搭載600V耐圧パヮーMOSFETとIGBT向け3相打ゲートドライバー

摘要

STマイクロエレクトロニクス(ST)は、600V耐圧Nチヤンネル•パヮ—MOSFETおよびIGBT向けの3相ゲート•ドライバー「STDRIVE601」を発表した。同製品は、OOVまでの負電圧スパイクに耐える最先端の堅ろう性と、クラス最高のロジック入力の応答速度(85ナノ秒)を実現する。