机译:SiC中悬空键缺陷的从头算研究
Department of Physics, Penn State Behrend, Erie, Pennsylvania 16563 USA;
机译:SIC悬空债券缺陷:AB Initio研究
机译:氢化从头算计算对悬空键自由4H-SiC(1120)/ SiO_2界面的影响
机译:硅中悬挂键缺陷复合物的从头算EPR参数:Jahn-Teller变形的影响
机译:第一性原理中突然出现的SiO_2 / 4H-和6H-SiC(0001)的界面态:Si悬挂键,C悬挂键和C团簇的影响
机译:单层MoS2中的筛选,缺陷和悬空键引起的光学损伤阈值
机译:具有可调Si悬空键传导路径的基于a-SiNx:H的超低功耗电阻式随机存取存储器
机译:SIC悬空债券缺陷:AB Initio研究
机译:隧道光谱法研究局域化si-Dingling-Bond缺陷的电子结构