机译:首先通过原子扩散键合制造的高速高功率公差IngaAs / Si光电二极管
NTT Device Technology LaboratoriesNTT Corporation3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi Kanagawa 243-0198 Japan;
NTT Device Innovation CenterNTT Corporation3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi Kanagawa 243-0198 Japan;
Research Institute of Electrical CommunicationTohoku UniversityKatahira 2-1-1 Aoba-ku Sendai 980-8577 Japan;
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NTT Device Technology LaboratoriesNTT Corporation3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi Kanagawa 243-0198 Japan;
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high-power tolerance; high-speed; photodiodes; wafer bonding;
机译:通过光电二极管表征研究的原子扩散键合的InGaAs / A-Ge / InGaAs结构的少数群体传输
机译:原子扩散键合在高散热SiC晶片上制备的InP-DHBT
机译:原子扩散键合在高散热SiC晶片上制备的InP-DHBT
机译:通过晶圆键合制造的InGaAs / Si雪崩光电二极管
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:机械堆叠和引线键合组合制造的III–V // Si和III–V // InGaAs多结太阳能电池的性能比较
机译:InGaas高速光电二极管,InGaas / Inalas雪崩光电二极管和新型alassb雪崩光电二极管的设计和表征
机译:国际空间站上高速InGaas光电二极管的成功太空飞行。