机译:通过MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的非极性a面GaN薄膜的偏振拉曼散射研究
Novel Materials Department, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, P.R. China;
Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductors; infrared and raman spectra; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:MOCVD法在r面蓝宝石衬底上生长的非极性a面p型GaN层的最佳活化条件
机译:通过脉冲激光沉积和金属有机化学气相沉积相结合在r面蓝宝石衬底上生长的高质量非极性a面GaN外延膜
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a面GaN膜上AlGaN缓冲层中Al组成的影响
机译:在r面蓝宝石衬底上生长异质外延单晶铌酸铅镁钛酸铅薄膜。
机译:R平面蓝宝石上外延横向过生长非极性a平面GaN的空间分辨和依赖于方向的拉曼映射
机译:通过低压MOCVD在γ-LiAlO2(3 0 2)衬底上生长的非极性a面GaN膜