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机译:GaN-HEMT的晶片上400 V动态行为与陷阱特性的相关性
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, 243-0197 Atsugi, Japan;
Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave., Cambridge, MA 02139, USA;
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, 243-0197 Atsugi, Japan;
Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave., Cambridge, MA 02139, USA;
dynamic-on-resistance; GaN; HEMT; trap;
机译:从400 J等离子体焦点中的电信号获得的中子产率与动态放电特性之间的相关性
机译:静电除尘器粒子收集行为与电流动力学流动特性的相关性
机译:两个捕获的布朗粒子的动力学:剪切诱导的互相关
机译:适用于GaN-HEMT器件的RF动态行为模型
机译:使用资产贫困衡量方法了解撒哈拉以南非洲的贫困动态,贫困陷阱和农民行为:埃塞俄比亚农村地区为重点。
机译:特征性四足肌骨骼肌肉四肢表型出现在基底叶鳍鱼中超过400 MYA
机译:GaN-HEMTs器件的技术和特性:高温和俘获效应
机译:大型柔性超音速巡航飞机(XB-70-1)空气动力学特性的风洞/飞行关联研究。 II - 风洞数据外推到全尺寸条件