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机译:关于RTA预处理后沉积的氮化物层对氧化物沉淀的影响
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
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Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany;
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biaxial stress; Czochralski growth; precipitates; Si_3N_4; silicon; vacancies;
机译:沉积-沉淀法研究金纳米颗粒在溅射氧化铈层上的沉积特性:制备参数的影响
机译:等离子体氮化预处理对PACVD沉积TiN涂层摩擦学性能的影响
机译:电化学预处理对用于电化学应用的不锈钢上沉积的高反应性氮化碳薄膜的影响
机译:预处理等离子体渗氮对PACVD沉积TiN涂层摩擦学性能的影响
机译:聚合物底层对物理气相沉积钛和氮化钛薄膜的影响。
机译:低温原子层沉积在氮化钛电极上的氧化物使电气细胞的培养和生理学记录能够
机译:预处理和工艺温度对氮化奥氏体不锈钢沉积PBII&D沉积锡膜粘附的影响