机译:GaN中低电离能p型中心的分子共掺杂研究
Electrical & Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250, USA;
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors; III-V semiconductors; III-V semiconductors; III-V semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:勘误表:“ Mg相关受体电离能与分子束外延生长的p型GaN层中受体浓度的关系” [Appl。物理来吧103,032102(2013)]
机译:分子束外延生长的p型GaN层中Mg相关受体电离能与受体浓度的关系
机译:通过低温沉积缓冲层在蓝宝石上生长GaN,以及通过掺Mg和低能电子束辐照实现p型GaN(诺贝尔讲座)
机译:低电离能量P型中心的分子共掺杂研究(Ga,Al)n
机译:在低中间冲击能下,单电子捕获和电离涉及原子(和分子)氢和氦。
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:错误:“MG相关受体电离能量与分子束外延生长的p型GaN层中受体浓度”苹果酱。物理。吧。 103,032102(2013)
机译:离子化分子气流稳定性研究。