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机译:金属-聚合物结处的电场依赖性耗尽对基于聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)的存储器件的电阻切换的影响
Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
resistance random access memory (RRAM); nanoparticle; poly(N-vinylcarbazoie) (PVK); band offsets; schottky barrier junction;
机译:共混比对PCBM和PVK基存储器件供体-受体型复合材料电阻切换效果的影响
机译:基于双稳态电开关的具有共价键合C-60的聚(N-乙烯基咔唑)薄膜的非易失性聚合物存储器件
机译:聚(4-乙烯基苯酚)-恶二唑复合材料中基于电导调整的电阻式开关存储器件
机译:用Au纳米晶体嵌入PVK(聚(N-乙烯基咔唑))层的非挥发性储存的电气特性对Au纳米晶体尺寸的依赖性
机译:金属/ pr钙锰矿界面中的电场感应电阻切换:未来非易失性存储设备的模型。
机译:氧对基于混合硫化银聚(N-乙烯基咔唑)纳米复合材料的电双稳设备性能的影响
机译:聚(N-乙烯基咔唑)-石墨烯复合材料中基于电导调整的非易失性存储器件