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机译:稀有气体注入氧化硅中产生的缺陷的结构和核特征
CERI-CNRS, 3A, rue de la Ferollerie, 45071 Orleans, France;
low-k SiO_2; defects; bubbles; Xe implantation; positron annihilation spectroscopy; rutherford backscattering; transmission electron microscopy;
机译:BF + 2注入硅中微结构缺陷的表征
机译:具有双核配体的双核和四核铁(III)配合物的合成,结构表征及其与过氧化氢的反应
机译:氧代乙氧基Re Re4O4(OEt)(12)的电化学合成,结构表征和分解。配体对高价四核平面醇氧化物簇的结构和键合的影响
机译:N〜+注入多晶硅/热氧化物/硅结构中获得的薄栅氧化物的电表征
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:单结GaAs太阳能电池上溅射的二氧化硅氧化铟锡和二氧化硅/氧化铟锡抗反射涂层的电学和光学特性
机译:由氧化硅中的惰性气体注入产生的缺陷的结构和核表征
机译:BF sub 2+ - 嵌入和快速热退火硅结构缺陷的起源:无缺陷再生的条件