机译:在1.6 MeV质子辐照下GaN和CdS层中的闪烁特性原位变化
Vilnius University, Institute of Applied Research, Sauletekio av. 9-Ⅲ, LT-10222 Vilnius, Lithuania;
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Recombination lifetime; Photoluminescence; MOCVD grown GaN epi-layers; Polycrystalline CdS;
机译:1.7 MeV质子辐照期间MOCVD生长的GaN外延层中复合特征的原位变化
机译:5 MeV质子辐照的常关p-AlGaN栅极AlGaN / GaN HEMT的降解特性
机译:5 MeV质子辐照降解InAIN / GaN高电子迁移率晶体管的dc特性
机译:1.6 MEV电子照射CDTE薄膜太阳能电池特性
机译:用4.5 MeV质子束照射的石英观测器的辐射剂量。
机译:290-MeV 238U32 +离子辐照对Al2O3上的外延GaN层的损害
机译:用5MeV质子辐射进行Inaln / GaN高电子迁移晶体管DC特性的降解
机译:用于测量558-meV-pROTON辐照下材料的次级质子,氘和三原子分布的双参数闪烁光谱系统