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机译:使用光吸收光谱和光电导率测量对未掺杂SI GaAs中EL2和其他深中心的比较研究
Institute for Nuclear Research, Russian Academy of Sciences, 60th October Anniversary pr. 7a, Moscow 117312, Russia;
gallium arsenide; radiation detector; deep levels; optical absorption;
机译:多波长红外吸收法测定未掺杂的Si GaAs中的总EL2和净受体浓度
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机译:直接观察深施主[EL2]浓度中的精细结构及其与未掺杂,半绝缘GaAs中位错的关系
机译:用原子力显微镜,表面X射线吸收细结构和光学反射和散射测量的电化学沉积铜对P-GaAs(001)的结构研究
机译:GaAs中MIDGAP水平(EL2)的研究查看使用统计
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:三种高度敏感吸收测量技术在整个透明光谱范围内表征三种高敏感吸收测量技术的比较研究
机译:半导体Gaas光电导开关的高电压响应持续光电导,丝传导和光脉冲定位的仿真研究。