机译:0.25 µm GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管技术中具有低相位噪声和中等输出功率的振荡器的设计
Sch. of Electr. Electron. Eng., Nanyang Technol. Univ., Singapore, Singapore;
机译:GaN-on-SiC HEMT技术中的超低相位噪声和大功率集成振荡器的设计
机译:采用0.15; C; m GaAs伪晶高电子迁移率晶体管技术的低相位噪声V波段推挽压控振荡器
机译:低功耗,低相位噪声振荡器设计的晶体管大信号噪声系数测量
机译:采用130 nm CMOS技术的低功耗低相位噪声MEMS兼容S带振荡器的设计
机译:低相位和低功耗电流控制振荡器的设计。
机译:用于MICS收发器的低功耗低相位噪声振荡器
机译:低相位噪声高效功率振荡器,具有数字控制的输出功率
机译:硅通孔基极晶体管,适用于高达20 GHz的低相位噪声振荡器应用