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机译:在5.5 GHz 90 nm RF CMOS LNA中实现即插即用ESD保护-概念,约束和解决方案
Sarnoff Europe, Groendreef 31, B-9880 Aalter, Belgium;
机译:用于90nm RF CMOS中具有4-KV HBM ESD保护的直接转换应用的高增益,低电源电压LNA
机译:使用RF结变容二极管的24 GHz低噪声放大器,用于90 nm CMOS中的噪声优化和CDM ESD保护
机译:在65 nm CMOS工艺中用于60 GHz RF电路的可配置ESD保护单元的设计和实现
机译:使用高于IC电感器,3级HBM和Class M4 MM ESD保护5.5 GHz LNA中的90 nm RFCMOS
机译:使用45 nm技术设计用于蓝牙低功耗应用的2.4 GHz CMOS LNA。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:采用90纳米RF CmOs的5 GHz全集成EsD保护低噪声放大器