机译:适用于圆柱型全耗尽环绕栅(SG)MOSFET的新二维阈值电压模型
Department of Electronic Engineering, Southern Taiwan University of Technology, No.1, Nan-tat Street, Yung-kang City, Tainan County, Taiwan, ROC;
机译:适用于圆柱形,完全耗尽的环绕栅(SG)MOSFET的紧凑型分析二维阈值电压模型
机译:具有有限掺杂体的全耗尽型环绕栅MOSFET(SGMOSFET)的显式连续电流电压(I-V)模型
机译:用于晕圈掺杂的圆柱形环绕栅MOSFET的新的分析阈值电压模型
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机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:副通道全耗尽SOI MOSFET的子阈值电流建模与后栅极控制
机译:Gaas mEsFET中压电感应阈值电压漂移的二维数值模型的开发与实验验证