机译:采用P_2S_5 /(NH_4)_2S_x + UV界面处理的高k氧化oxide钝化AlGaN / GaN MOSFET
Dept. of Electronics Engineering, Chang Cung University, Taoyuan, Taiwan, ROC;
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机译:具有ZnO栅极层和(NH_4)_2S_x表面处理的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:通过(NH_4)_2S_x处理,在硅上的0.3um T栅极AlGaN / GaN HEMT中具有高约翰逊品质因数,从而提高了击穿电压
机译:使用(nh_4)_2s_x钝化的Sin_x / in_(0.53)ga_(0.47)作为界面的缺陷密度
机译:通过(NH_4)_2S_X钝化,在SI上有效地抑制电流和D-MODE ALGAN / GAN HEMTS中的电流崩溃
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:钝化AlGaN / GaN高电子移动晶体管的大信号线性和高频噪声
机译:使用La2O3高k氧化物栅极绝缘体的alGaN / GaN mOs-HEmT器件性能
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化