机译:在0.18μmCMOS中具有增强的抗传导电磁干扰能力的折叠式共源共栅运算放大器的设计
Dept. of Information Eng., University of Brescia, Brescia, Italy;
Dept. of Electrical and Computer Systems Eng., Monash University, Melbourne, Australia;
Dept. of Electrical and Computer Systems, Monash University, Melbourne, Australia;
Electromagnetic compatibility; Electromagnetic immunity; Mixed-signal integrated circuit design; CMOS instrumentation amplifier input stage;
机译:提高对CMOS运算放大器的电磁干扰的抵抗力
机译:增加对CMOS OpAmp的电磁干扰的抵抗力
机译:通过倍增电源电压和可靠性设计,提高纳米级CMOS中折叠后的共源共栅运算放大器的性能
机译:采用0.18μmCMOS技术的高度抗电磁干扰的折叠共源共栅OpAmp
机译:采用0.18微米硅锗化物BiCMOS工艺实现的高速折叠和插值模数转换器的设计
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:采用0.18 µm CMOS技术的增强型批量驱动折叠共源共栅放大器